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型号 PH8230E,115
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
PH8230E,115 PDF
代理商 PH8230E,115
产品目录绘图 MOSFET LFPAK-4
标准包装 1
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 67A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 8.2 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1400pF @ 10V
功率 - 最大 62.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装 LFPAK，Power-SO8
包装 标准包装
产品目录页面 1507 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 568-2350-6
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